p-well, n-well 에 대하여

 

문턱전압 값을 얻을 수 있도록 하기 위해서.

 

높은 농도의 p도핑을 통해 초기의 n도핑 농도가 보상되어 p-well이 형성된다. 단순화된 p-well CMOS 단면도가 그림에 나와 있다. FOX는 field oxide를 의미하며, 소자들을 분리시키기 위해 두껍게 성장된 산화물을 나타낸다. field oxide는 n또는 p기판이 반전되는 것을 막고 두 소자를 서로 분리시켜 주는 역할을 한다. 실제 공정에서는 p-well과 n기판 사이를 연결해 주기 위한 별도의 단계가 추가된다. 이 단계를 통해서 특정 전압이 되었을 때 p-well과 n기판이 전기적으 로 연결될 수 있게 한다. n기판은 언제나 p-well보다 높은 전위가 걸려 있어야 하므로 pn접합은 언제나 역바이어스 되어 있다. 이온 주입법은 현재 문턱전압을 조절하기 위하여 널리 이용되는 방법으로 n-well n-well 공정 CMOS 공정과 twin-well CMOS 공정에서도 이용될 수 있다. n-well CMOS 공정은 그림에 나와 있듯이, 채널을 구성하기 위해 최적화된 p형 기판 위에 수행된다. (채널 MOSFET은 일반적으로 우수한 특성을 보이므로, 이 과정에서 우수한 n채널 소자를 만들 수 있어야 한다.) 그 뒤 p채널 소자를 제작할 n-well을 형성시킨다. n-well 도 은 이온 주입법을 통해 조절할 수 있다.

Win-well CMOS 고저에서는, 그림에 나와 있듯이, p-well과 n-well 영역을 Twin-well 공정 동시에 형성시킨다. 이 두 종류의 well은 요구되는 문턱전압과 트랜스컨덕턴스를 맞추기 위해 적당한 수준으로 도핑된다. twin-well 공정에서는 자가 정렬된 채널 저지부들 를 통해 높은 집적 밀도를 얻어낼 수 있다.

 

 

온도에 따른 저항 증가는 전력 모스펫의 안정성을 제공한다. 만약 어떤 특정 셀에서 전류가 증가하기 시작하면, 결과적인 ㅇ노도증가가 저항을 증가시켜서, 전류를 제한한다. 이런 특별한 특성을 갖고서 전력 모스펫의 총 전류는 병렬 셀들 사이에서 균등하게 분배되려고 하며, 타버리게 할 수 있는 조건인 어떤 한 셀에 전류가 집중되어지지 않는다.